发明名称 具有电磁干扰屏蔽功能设计的系统单晶片
摘要 一种具有电磁干扰屏蔽功能设计的系统单晶片设计,刻意在单晶片中的特定功能区块的周围,例如类比/混合讯号区块、射频讯号区块或记忆体区块,设置防电磁干扰的遮蔽环形结构。
申请公布号 TWI252576 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW094106264 申请日期 2005.03.02
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 许育豪
分类号 H01L23/58;G06F9/00 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种系统单晶片,包含有: 一核心微处理器; 一晶片滙流排界面; 一嵌入式记忆体区块;以及 一类比/混合讯号区块,其中该类比/混合讯号区块 刻意以一第一遮蔽环形结构围绕在周围,藉此保护 该类比/混合讯号区块不受到电磁干扰。 2.如申请专利范围第1项所述之系统单晶片,其中该 第一遮蔽环形结构包括有一金属屏蔽墙,其系由多 层的金属以及导介层堆叠而成。 3.如申请专利范围第2项所述之系统单晶片,其中该 金属屏蔽墙系连接至一植入在基板中的离子布植 区域。 4.如申请专利范围第3项所述之系统单晶片,其中该 基板为矽覆绝缘基板。 5.如申请专利范围第2项所述之系统单晶片,其中该 金属屏蔽墙具有一容许数位-类比区块互相沟通连 结的类比/数位连结窗口。 6.如申请专利范围第5项所述之系统单晶片,其中一 讯号线通过该类比/数位连结窗口。 7.如申请专利范围第6项所述之系统单晶片,其中该 讯号线由两条平行的地线构成双地线平行屏蔽作 用。这两条平行的地线与该讯号线为相同金属层 。 8.如申请专利范围第1项所述之系统单晶片,其中该 第一遮蔽环形结构系接地。 9.如申请专利范围第1项所述之系统单晶片,其中该 嵌入式记忆体区块以一第二遮蔽环形结构围绕在 其周围,藉此保护该嵌入式记忆体区块不受到电磁 干扰。 10.如申请专利范围第1项所述之系统单晶片,其中 该系统单晶片另包括有一数位讯号处理器(DSP)。 11.如申请专利范围第1项所述之系统单晶片,其中 该系统单晶片另包括有一MPEG解码器。 12.一种系统单晶片,包含有: 一核心微处理器; 一晶片滙流排界面; 一嵌入式记忆体区块;以及 一射频(RF)讯号区块,其中该射频讯号区块刻意以 一遮蔽环形结构围绕在其周围,藉此保护该射频讯 号区块不受到电磁干扰。 图式简单说明: 第1图绘示的是本发明较佳实施例的系统单晶片的 功能区块示意图。 第2图为沿着第1图中切线I-I'的剖面示意图。 第3图是本发明的系统单晶片的一部份遮蔽环形结 构其在类比/数位界面处的上视示意图。 第4图是第3图中沿着切线II-II'所见的剖面示意图 。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号