| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征系包含于半 导体晶圆中形成半导体元件, 和于上述半导体晶圆之上层,形成包含有相对介电 率低之绝缘膜的多层膜, 和于上述多层膜之切割线上,形成至少作为定位标 志及测试垫之最少一方而工作的金属层, 和于上述切割线上,覆盖上述定位标志及测试垫的 范围,照射雷射, 和对于上述切割线上之上述定位标志及测试垫之 最少一方上,进行较上述雷射之照射范围为窄的机 械式切割,而将上述半导体晶圆单片化,形成半导 体晶片。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,更且具备于形成上述金属层之后,且于 照射上述雷射之前,在上述雷射之照射范围中除了 上述定位标志及测试垫上以外之范围,形成雷射吸 收部件层者。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,照射上述雷射,系最少照射至上述多层 膜被去除或改质的深度为止者。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,照射上述雷射,系以雷射切断上述多层 膜,且照射至晶圆表面一部分被融解的深度为止者 。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,照射上述雷射,系从上述定位标志及测 试垫开始最少照射3m宽之范围者。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述机械式切割系刀片切割者。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,照射上述雷射,系最少照射至晶圆表面 一部分被融解的深度为止,而照射第1、第2雷射光 束; 进行上述机械式切割,系于照射了上述第1、第2雷 射光束之范围间,进行刀片切割者。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射之频率,系50kHz~200kHz者。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射之波长,系355nm~1064nm者。 10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射之输出,系0.8W~4.5W者。 11.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射之照射位置的移动速度,系在 50mm∕sec~300mm∕sec者。 12.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射,系100nsec~300nsec之间隔的脉冲 者。 13.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射系于扫描宽度全体具有平坦 之特性者。 14.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造 方法,其中,上述雷射系于扫描宽度之两端部具有 峰値者。 图式简单说明: 第1图A,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第1制造工程,而为放大表示切割 线附近的平面图 第1图B,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第1制造工程,而为沿着第1图A之1B -1B线的剖面图 第2图A,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第2制造工程,而为放大表示切割 线附近的平面图 第2图B,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第2制造工程,而为沿着第2图A之2B -2B线的剖面图 第3图A,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第3制造工程,而为放大表示切割 线附近的平面图 第3图B,系说明依本发明之第1实施方式之半导体之 制造方法,其表示第3制造工程,而为沿着第3图A之3B -3B线的剖面图 第4图A,系说明依本发明之第2实施方式之半导体之 制造方法,而为放大表示切割线附近的平面图 第4图B,系说明依本发明之第2实施方式之半导体之 制造方法,而为沿着第4图A之4B-4B线的剖面图 第5图A,系说明依本发明之第3实施方式之半导体之 制造方法,而为放大表示切割线附近的平面图 第5图B,系说明依本发明之第3实施方式之半导体之 制造方法,而为沿着第5图A之5B-5B线的剖面图 第6图,系表示雷射之照射位置和输出之关系的特 性图 第7图,系说明依本发明之第1及第3实施方式之半导 体之制造方法的变形例1,而为表示雷射之照射位 置和输出之关系的特性图 第8图,系说明依本发明之第1及第3实施方式之半导 体之制造方法的变形例2,而为表示雷射之照射位 置和输出之关系的特性图 |
