| 主权项 |
1.一种导线架上覆晶封装构造,包含: 复数个导脚,每一导脚之上表面系形成有一沉孔; 复数个焊料,其系形成于该些沉孔; 一覆晶晶片,其系设有复数个凸块,该些凸块系对 应插置于该些沉孔,并以该些焊料连接该些凸块与 该些导脚;及 复数个无流动填充胶(non-flow filling material),其系形 成于该些导脚之上表面,并包覆该些凸块。 2.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些沉孔之深度系介于该些凸块之高度 30-90%。 3.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些沉孔系为半蚀刻形成而不贯穿对应 之导脚。 4.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些凸块系为柱状。 5.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些凸块之材质系选自于金、铜与高铅 之其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些无流动填充胶系包覆该些焊料。 7.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些无流动填充胶系接触至该覆晶晶片 之主动面。 8.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其另包含有一封胶体,用以密封该覆晶晶片 。 9.如申请专利范围第8项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些导脚之下表面系显露于该封胶体。 10.如申请专利范围第1项所述之导线架上覆晶封装 构造,其中该些凸块之熔点系高于该些焊料之熔点 与该些无流动填充胶之固化温度,以使该些凸块系 不直接连接该些导脚。 11.如申请专利范围第1或10项所述之导线架上覆晶 封装构造,其中该些无流动填充胶之固化温度系低 于该些焊料之熔点。 12.一种导线架组合件,包含: 复数个导脚,每一导脚之上表面系形成有一沉孔; 复数个焊料,其系形成于该些沉孔;及 复数个无流动填充胶(non-flow filling material),其系形 成于该些导脚之上表面,以覆盖该些沉孔。 13.如申请专利范围第12项所述之导线架组合件,其 中该些沉孔系为半蚀刻形成而不贯穿对应之导脚 。 14.如申请专利范围第12项所述之导线架组合件,其 中该些无流动填充胶系包覆该些焊料。 15.如申请专利范围第12项所述之导线架组合件,其 中该些无流动填充胶之固化温度系低于该些焊料 之熔点。 16.一种导线架上覆晶封装构造,包含: 复数个导脚,每一导脚之上表面系形成有一沉孔; 复数个第一凸块,其系设于该些沉孔; 一覆晶晶片,其系设有复数个第二凸块,该些第二 凸块系对应插置于该些沉孔,该些第一凸块之溶点 系低于该些第二凸块,以该些第一凸块连接该些第 二凸块与该些导脚;及 复数个无流动填充胶(non-flow filling material),其系形 成于该些导脚之上表面,并包覆该些第二凸块。 17.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些沉孔之深度系介于该些第二凸块 之高度30-90%。 18.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些沉孔系为半蚀刻形成而不贯穿对 应之导脚。 19.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些第二凸块系为柱状。 20.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些第二凸块之材质系选自于金、铜 与高铅之其中之一。 21.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些无流动填充胶系更包覆该些第一 凸块。 22.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些无流动填充胶系接触至该覆晶晶 片之主动面。 23.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其另包含有一封胶体,用以密封该覆晶晶 片。 24.如申请专利范围第23项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些导脚之下表面系显露于该封胶体 。 25.如申请专利范围第16项所述之导线架上覆晶封 装构造,其中该些无流动填充胶之固化温度系低于 该些第一凸块之熔点。 图式简单说明: 第1图:依据本发明之一具体实施例,一种导线架上 覆晶封装构造之截面示意图; 第2图:依据本发明之一具体实施例,该导线架上覆 晶封装构造之局部放大截面示意图; 第3图:依据本发明之一具体实施例,该导线架上覆 晶封装构造之导线架之截面示意图;及 第4图:依据本发明之一具体实施例,该导线架上覆 晶封装构造之导线架之上表面示意图。 |
