| 发明名称 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT SiC-HALBLEITERSCHICHTEN MITTELS EINES IMPLANTIERUNGSSCHRITTS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69735056(D1) |
申请公布日期 |
2006.03.30 |
| 申请号 |
DE19976035056 |
申请日期 |
1997.03.26 |
| 申请人 |
CREE, INC. |
发明人 |
SCHOENER, ADOLF;ROTTNER, KURT;NORDELL, NILS |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/332;H01L21/265;H01L29/161;H01L29/24;H01L29/80;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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