Integrierte Schaltung, Halbleiterspeicherbauelement und Betriebsverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Schaltung mit einem ersten und einem zweiten Chip (100) und einer gemeinsamen Eingabe-/Ausgabekontaktstelle (11), die elektrisch mit dem ersten und zweiten Chip (100) gekoppelt ist, sowie auf ein Halbleiterspeicherbauelement und Betriebsverfahren für eine integrierte Schaltung und für ein Halbleiterspeicherbauelement. DOLLAR A Erfindungsgemäß umfasst der erste und/oder der zweite Chip einen Spannungsgenerator (130) für hohe Spannung, welcher ausgeführt ist, um über die gemeinsame Eingabe-/Ausgabekontaktstelle eine Eingabespannung (/WE) zu empfangen und in Reaktion auf ein Testmodussignal (TM) während eines Testmodus eine Testspannung (VTWL) zu erzeugen, deren Pegel höher als der Pegel der Eingabespannung ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für Mehrchippackungen mit Halbleiterspeicherchips.