A method for forming trench type isolation layer in semiconductor device,申请号KR19990023978-传众专利搜索

发明名称	A method for forming trench type isolation layer in semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100566305(B1)	申请公布日期	2006.03.30
申请号	KR19990023978	申请日期	1999.06.24
申请人		发明人
分类号	H01L21/76	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
主权项
地址