| 发明名称 | 制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1753156A | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN200510081936.2 | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 殷华湘;鲜于文旭;野口隆;赵世泳;郑智心 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；通过对该衬底上的该非晶硅层构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与该漏极之间的多个沟道的区域；对该沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和该漏极区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||