发明名称 |
有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器 |
摘要 |
本发明提供了一种有机薄膜晶体管,一种平板显示装置以及制造它们的方法。有机薄膜晶体管包括:源和漏电极以及有机半导体层,形成在基板的表面上;栅电极,与源和漏电极以及有机半导体层绝缘;栅极,至少形成在每个源极和漏极的上方和有机半导体层的通道区域的上方,其中,在源和漏电极上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度大于在有机半导体层的通道区域上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度。 |
申请公布号 |
CN1753202A |
申请公布日期 |
2006.03.29 |
申请号 |
CN200510104810.2 |
申请日期 |
2005.09.19 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
李宪贞;具在本 |
分类号 |
H01L51/10(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/10(2006.01) |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 |
代理人 |
韩明星;常桂珍 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管,包括:源和漏电极以及半导体层,形成在基板上,所述半导体层包括在所述源和漏电极之间的通道区域;栅电极,与所述源和漏电极以及所述半导体层绝缘;栅极绝缘体,至少形成在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间,以及在所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间,在所述栅电极与每个所述源和漏电极之间至少一部分所述栅极绝缘体的厚度大于在所述栅电极与所述半导体层的所述通道区域之间至少一部分所述栅极绝缘体的的厚度。 |
地址 |
韩国京畿道 |