| 发明名称 | 一种掩膜制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用电子束曝光的掩膜版制造方法，用来减小传统的用电子束曝光的掩膜版制造方法过程中的充电效应给掩膜版套准标记带来的误差。该方法包括如下步骤：提供一个接地的掩膜版基底；在所述基底上涂覆抗蚀剂；用电子束曝光所述基底上的多个套准标记图案和电路管芯图案；用电子束曝光所述基底上除上述图案之外的其他图案；去除被电子束曝光的抗蚀剂；腐蚀未被抗蚀剂覆盖的基底部分，在基底上形成掩膜图案；去除基底上剩余的抗蚀剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1248049C | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN03150650.X | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李正强 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);G03F1/08(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟;董方源 |
| 主权项 | 1.一种用电子束曝光的掩膜版制造方法，包括步骤：提供一个接地的掩膜版基底；在所述基底上涂覆抗蚀剂；用电子束曝光所述基底上的多个套准标记图案和电路管芯图案；用电子束曝光所述基底上除上述图案之外的其他图案；对抗蚀剂进行显影；腐蚀未被抗蚀剂覆盖的基底部分，在基底上形成掩膜图案；去除基底上剩余的抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||