| 发明名称 | 半导体设备的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。 | ||
| 申请公布号 | CN1248287C | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN02152955.8 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;下村明久;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子;秋叶麻衣;笠原健司 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);G06F9/45(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于具有薄膜晶体管的半导体设备的制造方法，该方法包含：在绝缘表面上形成非晶半导体膜；在非晶半导体膜上形成标记；和根据以标记用作参照的薄膜晶体管的排列信息，有选择性地对其中形成薄膜晶体管的有源层的区照射激光，以执行结晶，其中：该激光是脉冲振荡激光；该激光在非晶半导体膜上移动的方向平行于载流子在薄膜晶体管中的通道形成区中移动的方向；和通过该激光的照射，使非晶半导体膜熔化在其整个厚度上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||