| 发明名称 | 一种制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。 | ||
| 申请公布号 | CN1248295C | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN02106558.6 | 申请日期 | 2002.02.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;三津木亨;高野圭惠 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：通过用激光照射对非晶半导体薄膜进行晶化以形成具有翘曲的结晶半导体薄膜；加热所述结晶半导体薄膜以减少翘曲；加热步骤后蚀刻所述结晶半导体薄膜以形成结晶半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||