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经营范围
发明名称
Plasma etching method
摘要
申请公布号
EP0776032(B1)
申请公布日期
2006.03.29
申请号
EP19960117162
申请日期
1996.10.25
申请人
TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人
KOSHIISHI, AKIRA,
分类号
H01L21/311;C23F1/12;C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065
主分类号
H01L21/311
代理机构
代理人
主权项
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