| 发明名称 | 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料及制法 | ||
| 摘要 | 掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰与硅的摩尔比为1-10％的薄膜材料。其厚度为1-10,000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：在硅薄膜材料真空锰溅射的方法，制成锰与硅的摩尔比为1-10％的厚度为1-10微米的硅薄膜，然后以温度为900-1400℃的范围内且在保护性气氛条件下将硅材料的结晶化，时间为20min-2小时，得到具有半导体性能要求的硅材料。掺锰硅材料表现出了铁磁性且具有高于400K的铁磁转变温度；同时，其电传输特性也呈半导体特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1248245C | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN200310112601.3 | 申请日期 | 2003.12.11 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 张凤鸣;都有为 |
| 分类号 | H01F1/40(2006.01);H01F41/02(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | H01F1/40(2006.01) |
| 代理机构 | 南京苏高专利事务所 | 代理人 | 成立珍 |
| 主权项 | 1、掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，其特征是锰和硅组成，厚度1-10微米，锰与硅的摩尔比为：1-10％。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号物理系 | ||