一种集成电路的制作方法及结构

摘要

本申请是为一种集成电路的制作方法及结构，其使用一次多晶硅层的沉积及蚀刻即可同时形成渠沟式元件的栅极及平面式元件的多晶硅层。本申请的方法及结构克服了栅极氧化物层漏电的问题，并且有效提升耐压、降低生产成本及提升良率。本申请于功率元件的技术领域中具有突出的技术特征。

主权项

1.一种集成电路的制作方法，其是包括：(a)在一具有渠沟的半导体材质上形成一第一氧化物层；(b)形成一多晶硅层于该第一氧化物层之上，其中该多晶硅层区分为一渠沟区域的多晶硅层及一平面区域的多晶硅层；以及(c)蚀刻部分该多晶硅层，以同时形成一渠沟式元件的一栅极及一平面式元件的一多晶硅层。