发明名称 |
离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种新的ZnO薄膜实用制备技术,其将高纯度ZnO粉体,或原子比为1-5%的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体,用等静压压制成型,再烧结成溅射靶,并用纯N<SUB>2</SUB>或Ar∶N<SUB>2</SUB>为1∶3~1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击,垂直注入到溅射沉积膜上,利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入,保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。本技术的ZnO薄膜制备沉积不受衬底材料的制约,可以在硅、氧化硅、玻璃和氮化硅多片衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率低于1.0Ωcm,在可见光区域透射率大于80%p型氧化锌薄膜,满足工业化生产要求;且成膜温度较低,与半导体工艺兼容,没有废物排放。 |
申请公布号 |
CN1752269A |
申请公布日期 |
2006.03.29 |
申请号 |
CN200510094611.8 |
申请日期 |
2005.09.29 |
申请人 |
江苏工业学院 |
发明人 |
袁宁一;李金华 |
分类号 |
C23C14/22(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/48(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/22(2006.01) |
代理机构 |
南京知识律师事务所 |
代理人 |
汪旭东 |
主权项 |
1.离子束增强沉积制备P-型氧化锌薄膜的方法,其特征在于:(1)掺杂制成溅射靶将高纯度ZnO粉体,或原子比为1-5%的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体,用等静压压制成型,再烧结成溅射靶;(2)采用混合离子束进行增强沉积选用上述溅射靶,并用纯N2或Ar∶N2为1∶3~1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击,注入离子束的加速电压为20~60KV,束流强度5~20mA;(3)膜的均匀性轰击离子源产生的氮或氩/氮混合束束径大于150mm,非均匀性小于15%,垂直注入到溅射沉积膜上,利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入,得到均匀的、高取向ZnO多晶结构,即P型离子束增强沉积共掺杂氧化锌薄膜。(4)ZnO薄膜的制备沉积不受衬底材料的制约,原则上可以在各种固态材料上沉积。在单晶Si衬底上,可不受自然氧化层的影响,方便地制备单一取向多晶ZnO薄膜。 |
地址 |
213016江苏省常州市白云路 |