一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法

摘要

一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征是在传统三次曝光基础上，增加了沿－X方向和－Y方向两次偏置曝光，使参与成像的频谱成分更加丰富，有利于进一步提高光刻图形对比度和分辨率，并改善离焦情况下抗蚀剂图形特征的横向位移误差，提高图形空间位置精度。

主权项

1、采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征在于包括下列步骤：(1)沿垂直于掩模的低空间频率曝光；(2)沿+X方向的高空间频率偏置曝光；(3)沿-X方向的偏置曝光，使该方向的频谱分量参与成像；(4)沿+Y方向的高空间频率偏置曝光；(5)沿-Y方向的偏置曝光，使该方向的频谱分量参与成像，从而实现五次曝光的成像干涉光刻方法。