| 发明名称 | 半导体封装物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体封装物及其制造方法，所述半导体封装物的制造方法，包括下列步骤：提供一封装基板，其具有第一热膨胀系数且于该封装基板的表面上具有至少一接垫；形成一集成电路晶片，具有多个电子装置以及至少一耦合结构，该耦合结构是用于电性耦合于该封装基板上至少一接垫，且该集成电路晶片具有异于该第一热膨胀系数的一第二热膨胀系数；移除该集成电路晶片不具有电子元件的一部的部分厚度，使该集成电路晶片与该封装基板于温度变化时可大体扭曲；以及将该集成电路晶片接合于该封装基板。 | ||
| 申请公布号 | CN1753157A | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN200510059792.0 | 申请日期 | 2005.04.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曹佩华;林椿杰;卢思维;卢景睿;黄传德;李明机 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体封装物的制造方法，其特征在于所述半导体封装物的制造方法包括下列步骤：提供一封装基板，具有第一热膨胀系数且于该封装基板的表面上具有至少一接垫；形成一集成电路晶片，具有多个电子装置以及至少一耦合结构，该耦合结构是用于电性耦合于该封装基板上至少一接垫，且该集成电路晶片具有异于该第一热膨胀系数的一第二热膨胀系数；移除该集成电路晶片不具有电子元件的一部的部分厚度，使该集成电路晶片与该封装基板于温度变化时可扭曲；以及将该集成电路晶片接合于该封装基板。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||