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经营范围
发明名称
METHOD FOR FORMING ISOLATION LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR100567070(B1)
申请公布日期
2006.03.27
申请号
KR20040108688
申请日期
2004.12.20
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
JUNG, JONG GOO;PARK, HYUNG SOON;PARK, JUM YONG
分类号
H01L21/76
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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