Transistor und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, der ein Halbleitersubstrat (110) beinhaltet, dessen eine Seite eine erste Oberfläche (118), eine zweite Oberfläche (116) mit einer geringeren Höhe als jener der ersten Oberfläche und eine dritte Oberfläche (114) aufweist, welche die erste Oberfläche mit der zweiten Oberfläche verbindet, sowie auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren. Auf der ersten Oberfläche ist eine Gatestruktur ausgebildet. Auf der zweiten Oberfläche und der dritten Oberfläche ist eine epitaxiale Schicht ausgebildet. Auf beiden Seiten der Gatestruktur sind Störstellenbereiche ausgebildet. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche jeweils von einer {100}-Kristallebene gebildet, und die dritte Oberfläche ist von einer {111}-Kristallebene gebildet. Die Störstellenbereiche weisen somit Seitenflächen der {111}-Kristallebene auf, so dass ein zwischen den Störstellenbereichen erzeugter Kurzkanaleffekt verhindert werden kann. DOLLAR A Verwendung in der Halbleitertransistortechnologie.