METHOD AND DEVICE FOR APPLYING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE TRANSPARENT COATING TO A SUBSTRATE

摘要

Es wird ein Plasma-Impuls-CVD-Verfahren (PICVD-Verfahren) zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung oder TCO-Beschichtung auf ein Substrat im Plasmaraum einer Reaktoreinrichtung beschrieben, in den über eine Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung Mikrowellenpulse geeigneter Intensiät und Pulsdauer zur Erzeugung eines Plasmas eingekoppelt werden. Die Bildung einer elektrisch leitfähigen Beschichtung auf der Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung wird hierbei erfindungsgemäß durch eine Schutzeinrichtung gezielt unterdrückt, da ansonsten durch zunehmende Abschwächung der Mikrowellen-Transmission die Plasmaintensität entsprechend verringert und die Bildung des Plasmas schliellich verhindert würde. Als Schutzeinrichtung zur Unterdrückung der Schichtbildung kann beipielsweise eine mikrowellendurchlässige Abdeck-, Abklebe- oder Abtrenneinrichtung zwischen dem Plasmaraum und der Mikrowellen-Einkopplungseinrichtung, wie beispielsweise eine Folie oder ein Klebeband, verwendet werden, die gegebenenfalls in bestimmten Zeitabständen gereinigt oder ausgetauscht wird. Es kann jedoch auch das Substrat selbst als Abdeck- oder Abtrenneinrichtung verwendet werden. Die unerwünschte Schichtbildung kann auch durch eine Steuerung der Gaszusammensetzung im Plasmaraum wirkungsvoll unterdrückt werden. Des weiteren kann auch die Mikrowellen­-Einkopplungseinrichtung und/oder die Schutzeinrichtung bis auf ein Temperaturniveau abgekühlt werden, bei dem im wesentlichen nur eine die Mikrowellen-Transmission nicht behindernde elektrisch nicht oder nur schlecht leitfähige Beschichtung abgeschieden wird. Es wird auch eine PICVD­-Reaktoreinrichtung zur Durchführuung dieses Verfahrens beschrieben.