Halbleiterchip und Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterchip, der ein Halbleitersubstrat mit einer Oberseite und einer Unterseite beinhaltet und eine sich durch ein Durchgangsloch hindurch zur Substratunterseite erstreckende Verbindungselektrode (43) umfasst, sowie auf zugehörige Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreischips und zur Halbleiterwaferarbeitung. DOLLAR A Erfindungsgemäß befindet sich das Durchgangsloch in einem seitlich an das Halbleitersubstrat anschließenden elektrischen Isolationsbereich, der in fertigungstechnisch vorteilhafter Weise in Trennlinienbereichen eines Halbleiterwafers liegen kann. Über die Verbindungselektrode kann eine Kontaktstelle auf der Substratoberseite mit einer Anschlussstelle an der Substratunterseite elektrisch verbunden werden. DOLLAR A Verwendung z. B. für Mehrchippackungstechnologien mit gestapelten Chips.