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Ein integrierter Halbleiterspeicher umfasst eine Taktgeberschaltung (10), die zur Erzeugung eines internen Taktsignals (Cint) von einem externen Taktsignal (Cext) angesteuert wird. Die Taktgeberschaltung (10) erzeugt einen Pegel (PE1, PE2) des internen Taktsignals, wenn sie von dem externen Taktsignal für die Dauer einer Empfindlichkeitszeit (TE) von dem externen Taktsignal mit einem Pegel (PE1, PE2) angesteuert wird. Das interne Taktsignal (Cint) weist gegenüber dem externen Taktsignal (Cext) eine höhere Frequenz- und Phasenstabilität auf. Der integrierte Halbleiterspeicher umfasst des Weiteren eine Steuerschaltung (20) zur Steuerung der Taktgeberschaltung (10), die ebenfalls von dem externen Taktsignal angesteuert wird. In Abhängigkeit von einer Frequenz des externen Taktsignals verändert die Steuerschaltung (20) die Empfindlichkeitszeit (TE) der Taktgeberschaltung (10). Dadurch wird verhindert, dass ein verrauschtes externes Taktsignal (Cext) zu unkontrolliertem Schaltverhalten einer internen Chiplogik des integrierten Halbleiterspeichers führt.
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