发明名称 Vertikales Leistungshalbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Die Erfindung betrifft ein vertikales Leistungshalbleiterbauteil (1) mit einem Halbleiterchip (2), der eine Vielzahl von auf der Oberseite (3) verteilten Kontaktflächen (4) einer gemeinsamen Oberseitenelektrode (30) aufweist. Die Rückseite (7) des Halbleiterchips bildet eine Gegenelektrode (29) mit einem ersten Außenanschluss des Leistungshalbleiterbauteils, während die Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) eine Metallplatte (10) als gemeinsame Oberseitenelektrode (30) aufweist, die stoffschlüssig mit den Kontaktflächen verbunden ist. Die Oberseite (11) der Metallplatte ist über Bondverbindungen (14) mit einem zweiten Außenanschluss des Leistungshalbleiterbauteils elektrisch verbunden.
申请公布号 DE102004036905(A1) 申请公布日期 2006.03.23
申请号 DE20041036905 申请日期 2004.07.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 HOSSEINI, KHALIL
分类号 H01L23/13;H01L23/488 主分类号 H01L23/13
代理机构 代理人
主权项
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