发明名称 Verfahren zur Bildung von Speicherschichten
摘要 Der Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist ein Verfahren zur Herstellung von Schichten, bestehend aus einer ersten Schicht aus einem Metall und einer zweiten Schicht einer organischen Verbindung, wobei das Metall und die organische Verbindung eine Wechselwirkung eingehen, so dass die Schicht als elektroaktive Schicht für nichtflüchtige Speicher dient, wobei die Metallschicht auf ein Substrat abgeschieden und gegebenenfalls strukturiert wird, anschließend mit einer organischen Verbindung beschichtet wird und mit einer zweiten organischen Verbindung behandelt wird.
申请公布号 DE102004037151(A1) 申请公布日期 2006.03.23
申请号 DE200410037151 申请日期 2004.07.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 ENGL, REIMUND;SCHUMANN, JOERG;WALTER, ANDREAS;SEZI, RECAI;MALTENBERGER, ANNA
分类号 H01L51/40;C07F1/08;C07F5/00;C07F7/02;C07F19/00;C23C28/00;G11C13/02;H01L27/24;H01L51/30 主分类号 H01L51/40
代理机构 代理人
主权项
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