摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Gunn-Diode, umfassend einen, einen Gunn-Effekt ausübenden aktiven Bereich (2) und einen Injektor (4, 5, 6), dadurch gekennzeichnet, dass der Injektor einen Energiebandpassfilter für die in den aktiven Bereich injizierten Elektronen umfasst. Der Energiebandpassfilter ist viertagsweise als Resonanztunneldiode bestehend aus Barriereschichten (5a, 5c) und einer Zwischenschicht (5b) ausgelegt.</p> |
申请人 |
FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH;FOERSTER, ARNO;MONTANARI, SIMONE;LUETH, HANS;LEPSA, MIHAIL, ION |
发明人 |
FOERSTER, ARNO;MONTANARI, SIMONE;LUETH, HANS;LEPSA, MIHAIL, ION |