发明名称 GUNN-DIODE
摘要 <p>Die Erfindung betrifft eine Gunn-Diode, umfassend einen, einen Gunn-Effekt ausübenden aktiven Bereich (2) und einen Injektor (4, 5, 6), dadurch gekennzeichnet, dass der Injektor einen Energiebandpassfilter für die in den aktiven Bereich injizierten Elektronen umfasst. Der Energiebandpassfilter ist viertagsweise als Resonanztunneldiode bestehend aus Barriereschichten (5a, 5c) und einer Zwischenschicht (5b) ausgelegt.</p>
申请公布号 WO2006029607(A1) 申请公布日期 2006.03.23
申请号 WO2005DE01612 申请日期 2005.09.14
申请人 FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH;FOERSTER, ARNO;MONTANARI, SIMONE;LUETH, HANS;LEPSA, MIHAIL, ION 发明人 FOERSTER, ARNO;MONTANARI, SIMONE;LUETH, HANS;LEPSA, MIHAIL, ION
分类号 H01L47/02 主分类号 H01L47/02
代理机构 代理人
主权项
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