| 发明名称 | 外延晶片及元件 | ||
| 摘要 | 一种外延晶片，具备基板(3)、缓冲层(9)、受光层(11)、窗层(13)。缓冲层(9)形成于基板(3)上。受光层(11)形成于缓冲层(9)上。受光层(11)由具有比构成基板(3)的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜构成。窗层(13)形成于受光层(11)上，由被与受光层(11)接触地配置的1层或多层构成。构成窗层(13)的层当中的与受光层(11)接触的层的晶格常数比受光层(11)的晶格常数及缓冲层(9)的晶格常数当中的任意一个较大的晶格常数更小。窗层(13)的厚度在0.2μm以上、2.0μm以下。由此，本发明提供能够实现特性的改善的外延晶片及元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1750276A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200510103639.3 | 申请日期 | 2005.09.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 泽田滋;岩崎孝 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01) | 主分类号 | H01L31/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种外延晶片，其特征是，具备：基板(3)、形成于所述基板(3)上的缓冲层(9)、形成于所述缓冲层(9)上并由具有比构成所述基板(3)的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜制成的动作层(11)、形成于所述动作层(11)上并被按照与所述动作层(11)接触的方式配置的由1层或多层构成的覆盖层(13)，构成所述覆盖层(13)的层当中的与所述动作层(11)接触的层的晶格常数比所述动作层(11)的晶格常数及所述缓冲层(9)的晶格常数当中的任意一个较大的晶格常数更小，所述覆盖层(13)的厚度在0.2μm以上2.0μm以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||