| 发明名称 | 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF<SUB>6</SUB>气体进行ICP刻蚀，通过调节ICP刻蚀参数，刻蚀多晶硅，在保证刻蚀垂直度的同时，提高多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比，防止了在制备超薄体器件时，出现的穿通现象。本发明通过结合电子束曝光、灰化工艺，基于上述ICP刻蚀条件，调节ICP刻蚀的控制参数，通过过刻蚀获得垂直度高的30纳米的超细线条。 | ||
| 申请公布号 | CN1246498C | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN03134816.5 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王文平;黄如;任黎明;张兴;王阳元 |
| 分类号 | C23F1/02(2006.01);C23F1/12(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/465(2006.01) | 主分类号 | C23F1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘薇;刘芳 |
| 主权项 | 1、一种基于ICP刻蚀多晶硅栅的方法，其特征在于：该方法至少包括如下的工艺步骤：步骤1：在衬底硅片上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；步骤2：通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的光刻胶层；步骤3：利用ICP刻蚀方法，通过调节控制ICP刻蚀参数，对多晶硅进行刻蚀；步骤4：去除剩余多晶硅部分表面的光刻胶层；步骤3中具体选择对设备危害很小的SF6为刻蚀气体，C4F8为钝化气体，并且在ICP刻蚀多晶硅时，反应室的压力保持在15mTorr，另外的参数依照如下的范围选取：SF6的流量：(30±10％)sccm-(100±10％)sccm；C4F8的流量：(50±10％)sccm-(100±10％)sccm；平板电压功率为：20W-200W；线圈功率为：100W-1000W。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区北京大学 | ||