| 发明名称 | 垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种垂直磁记录介质，其中在一基材和垂直磁记录层之间形成的一垂直定向促进底层用于感应垂直磁记录层使之垂直定向，垂直磁记录介质进一步包括一在基材和垂直定向促进底层之间的用于抑制从底层到垂直磁记录层的连续晶体生长的晶体生长中止层。有效抑制在垂直磁记录层中的晶体生长导致了低的噪音水平。因此，垂直磁记录介质随信噪比增加而具有高-密度记录应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1246832C | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN01145760.0 | 申请日期 | 2001.12.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李丙圭 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B11/10(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质，包括在一基材和垂直磁记录层之间的一垂直定向促进底层用于感应垂直磁记录层使之垂直定向，垂直磁记录介质进一步包括一在垂直定向促进底层和垂直磁记录层之间的用于抑制从底层到垂直磁记录层的连续晶体生长的晶体生长中止层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||