| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers, bei dem eine Außenkontaktschicht (22) ganzflächig auf eine isolierende Schicht (18) und eine darin eingebettete Umverdrahtungsschicht (16) aufgetragen wird. Dabei werden gleichzeitig Fuses (36) kurzgeschlossen. Nach dem Strukturieren der Außenkontaktschicht (22) und dem Aufbringen einer Passivierungsschicht (24) werden Außenkontakte (44) und Kurzschlussleitungen (38) freigelegt. In Durchgangsöffnungen (28) der Passivierungsschicht (24) werden Außenkontakte (34) eingebracht. Die Halbleiterstrukturen werden getestet und vorbestimmte Kurzschlussleitungen (38) unterbrochen. Anschließend wird der Halbleiterwafer (2) zu Halbleiterchips vereinzelt.
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