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<p>Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und einen Halbleiterwafer sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das elektronische Bauteil umfasst mindestens einen Halbleiterchip, der aus entsprechenden Chippositionen eines erfindungsgemäßen Halbleiterwafers gewonnen ist. Dabei weist der Halbleiterchip zwei oberste Metallisierungslagen (5, 6) auf, die flächendeckende Spannungsversorgungsstrukturen (9) mit dazwischen angeordneten Isolationslagen und Durchgangskontakten (17) zu Modulbereichen einer integrierten Schaltung aufweisen. Die Spannungsversorgungsstruktur (9) weist ein Gitter (19) von parallel zueinander angeordneten Versorgungsleiterbahnen (20) auf, das gegenüber einem Gitter (21) einer nachfolgenden Metallisierungslage verdreht ist.
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