| 发明名称 | 离子注入的方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种离子注入方法同时采用在X方向往复扫描离子束和在与其正交的Y方向用机械的办法往复地驱动基片。注入离子的步骤包括在基片的表面上用不同的剂量分别对两个注入区域注入离子，并在改变基片驱动速度的情况下在基片的中心处执行多次。使基片按预定角度绕其中心旋转的步骤在对应注入步骤之间的每一间隔执行一次，同时离子不施加到基片上。 | ||
| 申请公布号 | CN1246881C | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN02147200.9 | 申请日期 | 2002.10.25 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 岩泽康司;长井宣夫 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01J37/317(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 肖鹂;陈小雯 |
| 主权项 | 1.一种在基片的表面上注入离子的方法，包括：当离子束扫描到基片中心时，离子束的扫描速度和基片的驱动速度中的一个发生改变时继续注入离子，以便在基片上分成两个不同剂量的离子注入区域，注入离子后以预定的角度将基片绕其中心旋转，这时离子束将不射到基片上。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||