| 发明名称 | 制造高到低和低到高反射比型光盘介质的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造高到低反射型和低到高反射型的光盘介质的方法同时将高到低反射型的光盘介质的未记录区域的反射比和低到高反射型的光盘介质的已记录坑的反射比设置在指定反射比范围内。光盘驱动器可以再现同时来自这些光盘介质的数据，而不会改变对信号处理系统的设置。 | ||
| 申请公布号 | CN1750133A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200510092166.1 | 申请日期 | 2005.08.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 山中丰 |
| 分类号 | G11B7/00(2006.01);G11B7/24(2006.01);G11B7/16(2006.01);G11B20/10(2006.01) | 主分类号 | G11B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造高到低反射型和低到高反射型的光盘介质的方法，所述方法包括：将所述高到低反射型的所述光盘介质的未记录区域的反射比设置在指定反射范围内；以及将所述低到高反射型的所述光盘介质的可能记录坑的反射比设置在所述指定反射比范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||