| 发明名称 | 固态摄像设备和辐射摄像设备 | ||
| 摘要 | 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1751393A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200480004177.3 | 申请日期 | 2004.02.10 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 渡边实;森下正和;望月干织;石井孝昌;野村庆一 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);G01T1/24(2006.01);H01L29/786(2006.01);H04N5/32(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.固态摄像设备，包含光电探测器件以及一个或多个与所述光电探测器件相连的薄膜晶体管形成在一个象素中，所述光电探测器件的一部分形成在所述薄膜晶体管的至少一部分之上，以及所述薄膜晶体管包含源电极、漏电极、第一栅电极以及位于相对于源电极和漏电极与所述第一栅电极相对侧上的第二栅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||