| 发明名称 | 集成存储装置及方法 | ||
| 摘要 | 本案提出一种利用穿隧场效晶体管(TFET)以及埋藏位线的存储装置。该存储装置包括一包含储存单元行以及储存单元列的矩阵，其中，每一个储存单元包含至少一单元晶体管，而该单元晶体管则是依次会包含第一掺杂区域以及第二掺杂区域，其一为一漏极区域，以及另一为一源极区域。再者，该存储装置包括字线，其每一个都连接至一行的储存单元，以及位线，各位线连接至一列的储存单元。此外，该等第一掺杂区域为与该等第二掺杂区域不同的掺杂型态。 | ||
| 申请公布号 | CN1750170A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200510091725.7 | 申请日期 | 2005.08.15 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·卡科斯奇克;T·尼斯奇;K·施弗;D·舒姆 |
| 分类号 | G11C11/401(2006.01);G11C11/412(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | G11C11/401(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种存储装置，包括：多个储存单元，置于一包含储存单元行以及储存单元列的矩阵中，其中，每一个储存单元包含至少一单元晶体管，而每一个单元晶体管则是包含第一掺杂区域以及第二掺杂区域，且该第一以及第二掺杂区域的其一为一漏极区域而该第一以及第二掺杂区域的另一为一源极区域，以及该等第一掺杂区域与该等第二掺杂区域为不同的掺杂型态；多个字线，其中，每一个字线连接至一行的储存单元；以及多个第一位线，其中，每一个第一位线连接至一列的储存单元。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||