MOS transistor having low junction capacitance and method for fabricating the same,申请号KR20030098385-传众专利搜索

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发明名称	MOS transistor having low junction capacitance and method for fabricating the same
摘要
申请公布号	KR100562303(B1)	申请公布日期	2006.03.22
申请号	KR20030098385	申请日期	2003.12.27
申请人		发明人
分类号	H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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