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发明名称 PROCESS FOR FORMING A SION/TEOS INTERLEVEL DIELECTRIC WITH AFTER-TREATMENT OF THE CVD SILICON OXYNITRIDE LAYER
摘要
申请公布号 KR100562541(B1) 申请公布日期 2006.03.22
申请号 KR20017006469 申请日期 2001.05.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/314 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人
主权项
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