半导体器件

摘要

在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N^－型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。

主权项

1、一种半导体器件，其中用密封树脂覆盖其上形成有高击穿电压晶体管的半导体衬底，所述半导体器件包括：源极区和漏极区，形成在所述半导体衬底的主表面部分中；栅极绝缘膜，形成在所述漏极区上，并且使其一端延伸至与所述源极区交迭；栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上；源极电极，连接到所述源极区；漏极电极，连接到所述漏极区；层间膜，用于覆盖所述栅极电极，并使所述栅极电极、源极电极和漏极电极彼此电绝缘；钝化膜，用于覆盖半导体衬底主体的整个表面；第一开口，形成在所述钝化膜中；以及密封树脂，形成在所述钝化膜上；其中：所述第一开口形成在所述源极电极和所述漏极电极中至少之一上；以及所述密封树脂填充所述第一开口，并且与所述源极电极和所述漏极电极中至少之一直接接触。