| 发明名称 | 低电压甲乙类跨导电路 | ||
| 摘要 | 一种甲乙类跨导电路，包括互补的PMOS和NMOS晶体管(10，12)，所述互补PMOS和NMOS晶体管的源极－漏极路径被串联连接在第一和第二电压源轨(14，16)之间。一个输出端(20)被耦合到所述串联连接的源极－漏极路径的结点。所述PMOS和NMOS晶体管的栅极电极分别通过所述第一和第二路径被耦合到一个输入端(18)，其中第一和第二路径中的每一个包括第一和第二偏置电压源(32，34)。所述PMOS和NMOS的静态栅极电压由第一和第二偏置电压源的相等且反向的电压(V<SUB>b</SUB>)从静态输入电压偏移，从而通过所述偏置电压源的值来减小PMOS和NMOS晶体管的表面阈值电压(V<SUB>1</SUB>’)。也公开了平衡甲乙类跨导电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1751433A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200480004288.4 | 申请日期 | 2004.01.30 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·B·胡赫斯 |
| 分类号 | H03F3/30(2006.01);H03F1/30(2006.01);H03F3/45(2006.01) | 主分类号 | H03F3/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种甲乙类跨导电路，包括互补的PMOS和NMOS晶体管(10，12)，所述互补PMOS和NMOS晶体管的源极-漏极路径被串联连接在第一和第二电压源轨(14，16)之间，一个输出端(20)被耦合到所述串联连接的源极-漏极路径的结点，并且所述互补PMOS和NMOS晶体管的栅极电极分别通过第一和第二路径被耦合到一个输入端(18)，其中第一和第二偏置电压源装置(Vb)分别在第一和第二路径中被提供。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||