半导体激光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。在所述半导体激光器件中，第一覆层(2)、量子阱有源层(3)、第二覆层(4)以及蚀刻停止层(5)以该顺序依次堆叠在衬底(1)上。在蚀刻停止层(5)上设置由第三覆层(14)和接触层(6)组成的条状脊形部分(11)。在脊形部分(11)上提供p侧电极(31)。除了接触层(6)之外的脊形部分(11)的侧面用介质膜(21)覆盖。接触层(6)具有比大致与衬底(1)平行的介质膜(21)的部分膜厚度更大的层厚度。

主权项

1.一种半导体激光器件，包括：形成在衬底上的诸化合物半导体层；形成在所述化合物半导体层上的条状脊形部分，其包括多层，其最上层是接触层；在所述脊形部分的两侧上形成的介质膜；以及与所述接触层的顶面和侧面接触的脊上电极，其中除与所述脊上电极接触的接触层之外的脊形部分的侧面被所述介质膜覆盖，且所述接触层具有比大致与所述衬底平行的介质膜的部分的膜厚度更大的层厚度。