| 发明名称 | 半导体存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储装置，具有：在存储单元区域的基板表面上，沿着一方向互相分开而延伸，构成比特线的多个扩散区域；在基板上，沿着一方向延伸的选择栅极；以及在与一方向正交的方向延伸，与选择栅极交叉的字线，比特线扩散区域是把选择栅极的侧壁的悬浮栅极作为掩膜，通过自我整合而形成的，沿着一方向至少被分离为2个，在分离区域在与一方向正交的方向具有共用扩散区域，相邻的共用扩散区域夹介选择栅极而被互相分离，被分离了的共用扩散区域通过接点而与共用的上层布线连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1750253A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200510091432.9 | 申请日期 | 2005.08.10 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 金森宏治 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于包括：在基板上形成有多个开口的图形的选择栅极的工序；在所述选择栅极的、面对所述开口的侧壁上形成悬浮栅极的工序，以及把所述选择栅极的侧壁的所述悬浮栅极作为掩膜，通过自我整合，在基板表面上形成构成比特线的多条扩散区域的工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||