| 发明名称 | 杂质导入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供包括在半导体衬底的表面形成非晶层的工序以及在非晶化的上述半导体衬底上形成浅的杂质导入层的工序的杂质导入方法和该方法所使用的装置，特别是其特征在于，形成非晶层的工序是向上述半导体衬底的表面照射等离子体的工序，形成浅的杂质导入层的工序是向非晶化的上述表面导入杂质的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1751381A | 申请公布日期 | 2006.03.22 |
| 申请号 | CN200480004634.9 | 申请日期 | 2004.02.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐佐木雄一朗 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种杂质导入方法，其特征在于，包括：在固体基体表面上形成非晶层的第1工序；以及在非晶化的上述固体基体上形成浅的杂质导入层的第2工序；其中，上述第1工序是向上述固体基体的表面照射等离子体的工序，上述第2工序是向非晶化的上述固体基体的表面导入杂质的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||