| 主权项 |
1.一种电阻性电极构造,设置有接触在包含以呈现P 型传导的硼与磷作为构成元素之导电性磷化硼系 半导体层的表面上的电阻性电极;其特征为: 至少接触在前述p型磷化硼系半导体层的表面上的 电极之底面为,由镧系元素或含有镧系元素之合金 所构成。 2.如申请专利范围第1项所记载之电阻性电极构造, 其中: 接触在前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为, 由镧与功函数在4.5eV以下的元素之合金所构成。 3.如申请专利范围第1或第2项所记载之电阻性电极 构造,其中: 接触在前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为, 由镧与铝的元素之合金所构成。 4.如申请专利范围第1或第2项所记载之电阻性电极 构造,其中: 接触在前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为, 由镧与矽的元素之合金所构成。 5.一种化合物半导体装置,包含有如申请专利范围 第1项或第2项所记载的电阻性电极构造,其特征为: 前述p型磷化硼系半导体层为,以不刻意添加不纯 物之未掺杂且在室温的能隙宽为2.8eV以上5.4eV以下 的p型单体磷化硼。 6.一种化合物半导体发光元件,其特征为: 由申请专利范围第5项所记载之化合物半导体装置 所制成 7.一种化合物半导体发光元件,具备由绝缘性或导 电性结晶制成之基板,和由该结晶基板上形成之化 合物半导体层制成之发光层,和设置于该发光层上 含有作为呈现p型传导之硼与磷之构成元素之导电 性磷化硼系半导体层,和使其接触该p型磷化硼系 半导体层之电阻性接触性的p型电阻性电极;其特 征为: 至少接触在前述磷化硼系半导体层的表面之前述p 型电阻性电极之底面为,由镧系元素又或含有镧系 元素合金所构成。 8.如申请专利范围第7项所记载之化合物半导体发 光元件,其中: 前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为,由镧与 功函数在4.5eV以下的元素之合金所构成。 9.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半导 体发光元件,其中: 接触在前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为, 由镧与铝的元素之合金所构成。 10.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半 导体发光元件,其中: 接触前述p型磷化硼系半导体层表面之底面为,由 镧与矽的元素之合金所构成。 11.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半 导体发光元件其中: 前述化合物半导体层由III-V族的化合物半导体制 成。 12.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半 导体发光元件,其中: 前述化合物半导体层由氮化铟镓(组成式GaN1-Y PYGaXIn1-XN:0≦X≦1)或氮磷化镓(组成式GaN1-Y PY:0≦Y ≦1)的化合物半导体制成。 13.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半 导体发光元件,其中: 拥有从镧系元素或含有镧系元素合金所构成之前 述p型电阻性电极前述底部部分,作为平面形状,连 线用基台电极的形状以及邻接形成之网状部分。 14.如申请专利范围第7或第8项所记载之化合物半 导体发光元件,其中: 前述p型磷化硼系半导体层为,以不刻意添加不纯 物之未掺杂且在室温能隙宽 在2.8eV以上5.4eV以下的p型单体磷化硼。 15.一种LED灯,其特征为: 使用申请专利范围第7~14项其中任1项所记载之化 合物半导体元件。 图式简单说明: 【图1】根据本发明与以往的材料的电流电压特 性之表示图。 【图2】表示第1实施例所记载之LED的断面构造之 模式图。 【图3】表示第2实施例所记载之LED的断面构造之 模式图。 【图4】表示第2实施例所记载之LED的平面构造之 模式图。 |
