| 主权项 |
1.一种图案形成方法,其特征在于具有: 于基板上形成第一光阻图案之工序; 于前述第一光阻图案照射光或能量射线之工序; 于前述基板及前述第一光阻图案之上,形成含有架 桥材料之光阻膜之工序;及 使前述第一光阻图案与前述光阻膜之界面产生架 桥反应,于前述第一光阻图案与前述光阻膜之界面 形成架桥层,并形成包含该架桥层及前述第一光阻 图案之第二光阻图案之工序; 于前述第一光阻图案照射光或能量射线之工序包 含根据预先求出之有关前述第一光阻图案之尺寸 及有关第二光阻图案之尺寸之差与照射于前述第 一光阻图案之光或能量射线之量之对应关系,以前 述第二光阻图案之尺寸成为特定尺寸之方式,设定 照射于前述第一光阻图案之光或能量射线之量之 工序。 2.如请求项1之图案形成方法,其中前述第一光阻图 案具有以一定间距排列之复数图案,前述第二光阻 图案具有对应于前述复数图案之复数图案,前述预 先求出之对应关系为前述第二光阻图案中之前述 图案之尺寸对于前述第一光阻图案中之前述图案 之尺寸之收缩量与照射于前述第一光阻图案之光 或能量射线之量之对应关系。 3.如请求项1或2之图案形成方法,其中在于前述第 一光阻图案照射光或能量射线之工序,准备具备透 过率不同之复数区域之光罩基板,从该光罩基板之 前述复数区域中,选择具有对应于前述已设定之能 量射线之量之透过率之区域,经由该选择之区域而 于前述第一光阻图案照射能量射线。 4.如请求项1或2之图案形成方法,其中在于前述第 一光阻图案照射光或能量射线之工序,准备具备透 过率不同之复数区域之光罩基板,经由该光罩基板 之前述复数区域而于前述第一光阻图案照射光。 5.一种图案形成方法,其特征在于具有: 于基板上形成第一光阻图案之工序; 将前述第一光阻图案表面进行亲水化处理之工序; 将前述基板表面进行疏水化处理之工序; 于前述基板及前述第一光阻图案之上,形成含有架 桥材料之光阻膜之工序;及 使前述第一光阻图案与前述光阻膜之界面产生架 桥反应,于前述第一光阻图案与前述光阻膜之界面 形成架桥层,并形成包含该架桥层及前述第一光阻 图案之第二光阻图案之工序。 6.如请求项5之图案形成方法,其中将前述第一光阻 图案之表面进行亲水化处理之工序系包含:藉由药 液处理前述第一光阻图案表面之湿式处理或于前 述第一光阻图案表面照射光或能量射线之处理。 7.如请求项5之图案形成方法,其中将前述基板表面 进行疏水化处理之工序包含采用氯矽烷类、矽氨 烷类或烷氧基矽烷类之处理。 8.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有: 藉由请求项1至7中任一项之图案形成方法,于基板 上形成第二光阻图案之工序;及 将前述第二光阻图案作为掩模而蚀刻前述基板之 工序。 图式简单说明: 图1系表示间距、收缩量及DOP之关系图。 图2系表示收缩量之间距依存性之图。 图3系表示关于本发明之第一实施型态之图案形成 方法之流程之流程图。 图4系表示关于本发明之第一实施型态之图案形成 方法之剖面图。 图5系表示接续图4之工序之关于本发明之第一实 施型态之图案形成方法之剖面图。 图6系表示图5之工序之后之关于本发明之第一实 施型态之图案形成方法之剖面图。 图7系表示关于本发明之第一实施型态之图案形成 方法之步骤S4之具体例之剖面图。 图8系表示接续于图7之工序之后之关于本发明之 第一实施型态之图案形成方法之步骤4之具体例之 剖面图。 图9系表示接续于图8之工序之后之关于本发明之 第一实施型态之图案形成方法之步骤4之具体例之 剖面图。 图10系表示关于本发明之第一实施型态之图案形 成方法之第二曝光时之第一光阻图案之照射量与 收缩量之对应关系图。 图11系表示具备透过率互异之相位偏移膜(相位偏 移器)之光罩基板之剖面图。 图12系表示关于本发明之第二实施型态之图案形 成方法之流程之流程图。 图13系表示关于本发明之第二实施型态之图案形 成方法之第一光阻图案之照射量与收缩量之对应 关系图。 图14系表示关于本发明之第三实施型态之图案形 成方法之剖面图。 图15系表示接续于图14之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图16系表示接续于图15之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图17系表示接续于图16之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图18系表示接续于图17之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图19系表示接续于图18之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图20系表示接续于图19之工序之后之关于本发明之 第三实施型态之图案形成方法之剖面图。 图21系表示关于本发明之第四实施型态之图案形 成方法之剖面图。 图22系表示接续于图21之工序之后之关于本发明之 第四实施型态之图案形成方法之剖面图。 图23系表示接续于图22之工序之后之关于本发明之 第四实施型态之图案形成方法之剖面图。 图24系表示接续于图23之工序之后之关于本发明之 第四实施型态之图案形成方法之剖面图。 图25系表示接续于图24之工序之后之关于本发明之 第四实施型态之图案形成方法之剖面图。 |
