发明名称 封装结构的清洗方法
摘要 一种清洗方法,应用一封装结构,其具有一中空部分位于一中心区域。具有至少一开口的一输送单元与封装结构接合。另一输送单元与中空部分接合,之后驱使一清洗剂经由上述之另一输送单元至中空部分,并由中心区域经过封装结构后流向开口。
申请公布号 TWI251908 申请公布日期 2006.03.21
申请号 TW093135578 申请日期 2004.11.19
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈仁川;魏志仲
分类号 H01L23/00 主分类号 H01L23/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种封装结构的清洗方法,包含: 提供一封装结构,其中该封装结构具有一中空部分 位于该封装结构之一中心区域; 接合一第一输送单元与该封装结构,其中该第一输 送单元具有至少一开口; 接合一第二输送单元与该中空部分;及 驱使一清洗剂经由该第二输送单元至该中空部分, 并由该中心区域经过该封装结构后流向该开口。 2.如申请专利范围第1项所述之封装结构的清洗方 法,其中该驱使步骤系从该开口抽气以造成一真空 环境于该第二输送单元中。 3.如申请专利范围第2项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第一输送单元与该封装结构的步骤 包含以该第一输送单元的一遮罩覆盖该封装结构 的该中心区域,并且该遮罩与该中心区域之间系为 该真空环境。 4.如申请专利范围第3项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第一输送单元与该封装结构的步骤 更包含提供该遮罩与该开口连接并相通。 5.如申请专利范围第2项所述之封装结构的清洗方 法,其中更包含以该第一输送单元的一遮罩覆盖该 封装结构的一四周区域,并且该遮罩与该四周区域 之间系为该真空环境。 6.如申请专利范围第5项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第一输送单元与该封装结构的步骤 更包含提供该遮罩与该开口连接并相通。 7.如申请专利范围第1项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第二输送单元与该中空部分的步骤 包含套接该第二输送单元的一衔接部分与该中空 部分。 8.如申请专利范围第1项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第二输送单元与该中空部分的步骤 包含以该第二输送单元的一衔接部分覆盖该中空 部分。 9.一种封装结构的清洗方法,包含: 提供一封装结构,其中该封装结构具有一半导体部 分、一基板部分、复数个连接结构连接该半导体 部分与该基板部分以及一中空部分位于该半导体 部分与该基板部分两者之一; 接合一第一输送单元与该封装结构,其中该第一输 送单元具有至少一开口; 接合一第二输送单元与该中空部分;及 驱使一清洗剂经由该第二输送单元至该中空部分, 流经过该复数个连接结构后流向该开口。 10.如申请专利范围第9项所述之封装结构的清洗方 法,其中该驱使步骤系从该开口抽气以造成一真空 环境于该第二输送单元中。 11.如申请专利范围第10项所述之封装结构的清洗 方法,其中接合该第一输送单元与该封装结构的步 骤包含以该第一输送单元的一遮罩覆盖该封装结 构,并且该遮罩与该封装结构之间系为该真空环境 。 12.如申请专利范围第11项所述之封装结构的清洗 方法,其中接合该第一输送单元与该封装结构的步 骤更包含提供该遮罩与该开口连接并相通。 13.如申请专利范围第11项所述之封装结构的清洗 方法,其中该中空部分系位于该基板部分中。 14.如申请专利范围第10项所述之封装结构的清洗 方法,其中该包含以该第一输送单元的一遮罩覆盖 该基板部分,并且该遮罩与该基板部分之间系为该 真空环境。 15.如申请专利范围第14项所述之封装结构的清洗 方法,其中该中空部分系位于该半导体部分中。 16.如申请专利范围第9项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第二输送单元与该中空部分的步骤 包含套接该第二输送单元的一衔接部分与该中空 部分。 17.如申请专利范围第9项所述之封装结构的清洗方 法,其中接合该第二输送单元与该中空部分的步骤 包含以该第二输送单元的一衔接部分覆盖该中空 部分。 图式简单说明: 第一A图所示为根据本发明之第一实施例说明一封 装结构之一部分的底面示意图。 第一B图所示为根据本发明之第二实施例说明一封 装结构之一部分的底面示意图。 第一C图所示为根据本发明之第三实施例说明一封 装结构之一部分的底面示意图。 第二图为根据本发明之一实施例之封装结构于清 洗设备中的剖面示意图。 第三A图与第三B图为根据本发明之一实施例之封 装结构清洗过程的示意图。 第四图为根据本发明之另一实施例之封装结构于 清洗设备中的剖面示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号