| 主权项 |
1.一种具有NSMD(Non-Solder Mask Defined,非防焊层界定) 垫之封装基板,包含: 一基板本体,其系具有一表面; 一金属层,其系形成于该基板本体之该表面,该金 属层系形成有复数个拟态NSMD(imitative-NSMD pad),每一 拟态NSMD垫系具有至少一支撑条; 复数个NSMD垫,其系形成于该基板本体之该表面,每 一NSMD垫系连接有一迹线;及 一防焊层,其系形成于该基板本体之该表面,以局 部覆盖该金属层,该防焊层系具有复数个第一开口 与复数个第二开口,以分别显露出该些拟态NSMD垫 与该些NSMD垫; 其中,该些支撑条系连接至该金属层被该防焊层覆 盖之部位。 2.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中每一拟态NSMD垫系具有复数个放射状且等 角排列之支撑条。 3.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些支撑条之宽度系不小于该些迹线之宽 度。 4.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些拟态NSMD垫系为圆形。 5.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些支撑条之相互间隔夹角系为120。 6.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些支撑条之相互间隔夹角系为90。 7.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些拟态NSMD垫之尺寸系相同于该些NSMD垫 之尺寸。 8.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该些第一开口与该些第二开口系为相同尺 寸。 9.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装基 板,其中该防焊层系部分覆盖该些支撑条连接该金 属层之一端。 10.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装 基板,其中该金属层系为一散热层。 11.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装 基板,其中该些拟态NSMD垫与该些NSMD垫系排列为一 矩阵。 12.如申请专利范围第1项所述之具有NSMD垫之封装 基板,其中该金属层系与该些NSMD垫为电性绝缘。 13.一种封装基板,包含: 一基板本体,其系具有一表面; 一拟态NSMD垫(imitative-NSMD pad),其系形成于该基板本 体之该表面,该拟态NSMD垫系连接有复数个支撑条; 及 一防焊层,其系形成于该基板本体之该表面,该防 焊层系具有一开口,以显露出该拟态NSMD垫并局部 覆盖该些支撑条。 14.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 些支撑条系放射状且等角地连接一该拟态NSMD垫。 15.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 拟态NSMD垫系为圆形。 16.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 些支撑条之相互间隔夹角系为120。 17.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 些支撑条之相互间隔夹角系为90。 18.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 防焊层系部分覆盖该些支撑条在远离该拟态NSMD垫 之一端。 19.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其另包 含有一迹线,其系连接至该拟态NSMD垫或其中之一 支撑条。 20.如申请专利范围第19项所述之封装基板,其中每 一支撑条之宽度系不小于该迹线之宽度。 21.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 拟态NSMD垫系具有一环形条,其系连接该些支撑条 与该迹线。 22.如申请专利范围第21项所述之封装基板,其中该 防焊层系覆盖该环形条。 23.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 拟态NSMD垫系具有一弧形条,其系连接该些支撑条 与该迹线。 24.如申请专利范围第23项所述之封装基板,其中该 防焊层系覆盖该弧形条。 25.如申请专利范围第13项所述之封装基板,其中该 拟态NSMD垫之材质系包含铜。 26.一种覆晶封装构造,包含: 一封装基板,包含: 一基板本体,其系具有一表面; 一金属层,其系形成于该基板本体之该表面,该金 属层系形成有复数个拟态NSMD垫(imitative-NSMD pad),每 一拟态NSMD垫系具有至少一支撑条; 复数个NSMD垫,其系形成于该基板本体之该表面,每 一NSMD垫系连接有一迹线;及 一防焊层,其系形成于该基板本体之该表面,以局 部覆盖该金属层,该防焊层系具有复数个第一开口 与复数个第二开口,以分别显露出该些拟态NSMD垫 与该些NSMD垫; 其中,该些支撑条系连接至该金属层被该防焊层覆 盖之部位;及 一覆晶晶片,其系接合于该封装基板,该覆晶晶片 系包含复数个凸块,该些凸块系接合该些NSMD垫与 该些拟态NSMD垫。 27.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中每一拟态NSMD垫系具有复数个放射状且等角排列 之支撑条。 28.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些支撑条之宽度系不小于该些迹线之宽度。 29.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些拟态NSMD垫系为圆形。 30.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些支撑条之相互间隔夹角系为120。 31.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些支撑条之相互间隔夹角系为90。 32.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些拟态NSMD垫之尺寸系相同于该些NSMD垫之尺 寸。 33.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些第一开口与该些第二开口系为相同尺寸。 34.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该防焊层系部分覆盖该些支撑条连接该金属层 之一端。 35.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该金属层系为一散热层。 36.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该些拟态NSMD垫与该些NSMD垫系排列为一矩阵。 37.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 中该金属层系与该些NSMD垫为电性绝缘。 38.如申请专利范围第26项所述之覆晶封装构造,其 另包含一底部填充胶,其系形成于该覆晶晶片与该 封装基板之间,以密封该些凸块。 图式简单说明: 第1图:习知封装基板之上视图; 第2图:习知封装基板之局部上视图; 第3图:习知封装基板之局部截面示意图; 第4图:习知封装基板在焊料形成后之截面示意图; 第5图:习知封装基板与一覆晶晶片在回焊前之截 面示意图; 第6图:习知封装基板与该覆晶晶片在回焊后之截 面示意图; 第7图:依本发明之第一具体实施例,一种具有NSMD垫 之封装基板之上视图; 第8图:依本发明之第一具体实施例,该封装基板之 局部上视图; 第9图:依本发明之第一具体实施例,该封装基板之 局部截面示意图; 第10图:依本发明之第一具体实施例,该封装基板在 焊料形成后之截面示意图; 第11图:依本发明之第一具体实施例,该封装基板与 一覆晶晶片在回焊后之截面示意图; 第12图:依本发明之第二具体实施例,一种封装基板 之局部上视图; 第13图:依本发明之第三具体实施例,一种封装基板 在一拟态NSMD垫处之局部上视图; 第14图:依本发明之第四具体实施例,一种封装基板 在一拟态NSMD垫处之局部上视图;及 第15图:依本发明之第五具体实施例,一种封装基板 在一拟态NSMD垫处之局部上视图。 |
