| 主权项 |
1.一种氮化镓系发光二极体元件,包含: 一n型氮化镓系半导体层; 一p型氮化镓系半导体层,该n型氮化镓系半导体层 和该p型氮化镓系半导体层具有化学式为AlxInyGa1-x- yN之材质,且1≧x≧0,1≧y≧0,1≧1-x-y>0;及 一介于该n型氮化镓系半导体层和该p型氮化镓系 半导体层间的发光单元,该发光单元具有一连接该 p型氮化镓系半导体层的最后阻障层、一连接该最 后阻障层的井层,及一连接该井层的阻障层,该最 后阻障层以化学式为InjGa(1-j)N的材料所制成,且0<j< 1。 2.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该阻障层以化学式为AlmInnGa(1-m-n)N 的材料所制成,且0≦m≦1,0≦n≦1,0<1-m-n≦1,该井层 以化学式为InkGa(1-k)N的材料所制成,且0<k<1。 3.依据申请专利范围第2项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该最后阻障层的能隙小于该p型氮 化镓系半导体层。 4.依据申请专利范围第3项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该最后阻障层的能隙大于该井层 。 5.依据申请专利范围第4项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该最后阻障层InjGa(1-j)N材料中,j小 于0.5。 6.依据申请专利范围第5项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该最后阻障层InjGa(1-j)N材料中的j 値大于或等于0.01,且小于或等于0.1。 7.依据申请专利范围第4项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该最后阻障层的厚度大于该井层, 小于该p型氮化镓系半导体层,且其厚度从50至500 。 8.依据申请专利范围第1项所述之氮化镓系发光二 极体元件,其中,该井层具有量子点结构。 9.一种氮化镓系发光二极体元件,包含: 一基材; 一n型氮化镓系半导体层,形成于该基材上,其化学 式为AlxInyGa1-x-yN之材质,且1≧x≧0,1≧y≧0,1≧1-x-y>0 ; 复数阻障层,该等阻障层的其中之一阻障层连接该 n型氮化镓系半导体层; 复数井层,与该等阻障层彼此交错排列; 一最后阻障层,连接于该等井层的其中之一井层, 该最后阻障层以化学式为InjGa(1-j)N的材料所制成, 且0<j<1;及 一p型氮化镓系半导体层,连接该最后阻障层,其化 学式为AlxInyGa1-x-yN之材质,且1≧x≧0,1≧y≧0,1≧1-x- y>0。 图式简单说明: 图1是一习知氮化镓系发光二极体元件的剖面示意 图; 图2是该习知氮化镓系发光二极体元件中之局部剖 面示意图,说明一n型披覆层、一发光单元和一p型 披覆层的结构; 图3是一本发明氮化镓系发光二极体元件的第一较 佳实施例的剖面示意图; 图4是该第一较佳实施例中之局部剖面示意图,说 明一n型氮化镓系半导体层、一发光单元和一p型 氮化镓系半导体层的结构; 图5是该第一较佳实施例中,该n型氮化镓系半导体 层、该发光单元和该p型氮化镓系半导体层的能阶 示意图; 图6是该第一较佳实施例与习知氮化镓系发光二极 体元件的亮度电流曲线比较图;及 图7是该第一较佳实施例与习知氮化镓系发光二极 体元件的电流电压比较图。 |
