| 主权项 |
1.一种CMOS结构,于该CMOS结构上方形成有一受应力 的接触蚀刻终止层,其中于载流子迁移率和移动率 增强之区域层中,其应力被限制,且于载流子迁移 率和移动率降低之区域中,应力被缓和,其中应力 系受到含氧或含碳离子布植于其中而缓和。 2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该接触蚀 刻终止层为氮化矽层。 3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中应力系于 一选择区中藉由阻止离子布植于除该选择区外之 全部而缓和。 4.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该阻止步 骤系经由遮蔽除该选择区外之全部而进行。 5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中于该层中 之该应力为拉伸的。 6.如申请专利范围第5项所述之结构,进一步包含一 PMOS装置及一NMOS装置,二者皆受该层覆盖,且其中含 氧或含碳离子之布植系于该NMOS装置上方之层区中 受到阻止。 7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中于该层中 之该应力为压缩的。 8.如申请专利范围第7项所述之结构,进一步包含一 PMOS装置及一NMOS装置,二者皆受该氮化矽层覆盖,且 其中含氧或含碳离子之布植系于该PMOS装置上方之 层区中受到阻止。 9.一种CMOS结构,其系于一或多个NMOS装置及一或多 个PMOS装置上方具有氮化矽接触蚀刻终止层,其包 含: 第一层区,系位于一类型装置上方,且具有含氧或 含氮离子布植其中;以及 第二层区,系位于另一类型装置上方,且不具有含 氧或含氮离子布植其中。 10.如申请专利范围第9项所述之结构,其中该层系 藉化学蒸气沉积作用而形成。 11.如申请专利范围第9项所述之结构,其中该层系 藉热化学蒸气沉积作用而形成。 12.如申请专利范围第11项所述之结构,其中: 该第一区系位于该PMOS装置上方;以及 该第二区系位于该NMOS装置上方。 13.如申请专利范围第8项所述之结构,其中该层系 藉电浆增强化学蒸气沉积作用而形成。 14.如申请专利范围第13项所述之结构,其中: 该第一区系位于该NMOS装置上方;以及 该第二区系位于该PMOS装置上方。 15.一种缓和CMOS结构之中应力之方法,其中于该CMOS 结构上方形成有一受应力的接触蚀刻终止层,其包 含: 布植含氧或含碳离子于该接触蚀刻终止层中,使得 于载流子迁移率和移动率增强之区域层中,其应力 被限制,且于载流子迁移率和移动率降低之区域中 ,应力被缓和。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该接触 蚀刻终止层为氮化矽层。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,进一步包含 阻止含氧或含碳离子布植于除该层之选择区外之 全部中。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该阻止 步骤系经由遮蔽除该选择区外之全部而进行。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中于该层 中之该应力为拉伸的。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该层系 覆盖于一PMOS装置及一NMOS装置上方,且进一步包含 阻止含氧或含碳离子布植于该NMOS装置上方之层区 中。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该阻止 步骤系经由遮蔽除该PMOS上方层区外之全部而进行 。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该遮蔽 步骤系选择性地施用及显影一光阻涂层于该层上 而进行。 23.如申请专利范围第15项所述之方法,其中于该层 中之该应力为压缩的。 24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该层系 覆盖于一PMOS装置及一NMOS装置上方,且进一步包含 阻止含氧或含碳离子布植于该PMOS装置上方之层区 中。 25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该阻止 步骤系经由遮蔽除该NMOS上方层区外之全部而进行 。 26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该遮蔽 步骤系选择性地施用及显影一光阻涂层于该层上 而进行。 27.一种缓和一或多个NMOS装置及一或多个PMOS装置 上方氮化矽接触蚀刻终止层中应力之方法,其包含 : 选择性地布植含氧或含氮离子于一类型装置上方 之层区中;以及 同时阻止布植离子于另一类型装置上方之层区中 。 28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该阻止 步骤系经由遮蔽除该另一类型装置上方之层区而 进行。 29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该遮蔽 步骤系选择性地施用及显影一光阻涂层于该层上 而进行。 30.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该层系 藉化学蒸气沉积作用而形成。 31.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该层系 藉热化学蒸气沉积作用而形成。 32.如申请专利范围第31项所述之方法,其中经显影 之光阻涂层遮蔽该NMOS装置。 33.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该层系 藉电浆增强化学蒸气沉积作用而形成。 34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中经显影 之光阻涂层遮蔽该PMOS装置。 图式简单说明: 第1图说明一种藉由根据本发明方法所修饰之先前 技艺产品的断面侧视图。 第2图说明一种因实施第1图中示意表示之方法而 根据本发明所修饰之第1图产品的断面侧视图。 |
