| 主权项 |
1.一种具散乱反射效果之储存电容,系用于薄膜电 晶体阵列回路中,包括: 一第一电极,形成于一基板上,具有一导电材料制 之导体层; 一糙面层,形成于该第一电极上方,具有一介质层 及一保护层; 一第二电极,形成于该糙面层上方,用以对外界光 照呈现散乱反射。 2.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 保护层形成于该介质层上。 3.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 介质层形成于该保护层上。 4.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 第二电极具有一高反射率导电材料制之反射层。 5.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 第二电极具有一导电材料制之导电层及一高反射 率材料制之反射层。 6.依据申请专利范围第5项所述之储存电容,其中该 反射层形成于该导电层上。 7.依据申请专利范围第5项所述之储存电容,其中该 导电层形成于该反射层上,且该导电层之材质系透 光材料。 8.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 介质层构成系选自下列各物组成之群:铟氧化物、 锡氧化物、锌氧化物、铅氧化物、铟锡氧化物及 铟锌氧化物。 9.依据申请专利范围第1项所述之储存电容,其中该 保护层构成系选自下列各物组成之群:氮化矽、氧 化矽、氮氧化矽。 10.一种薄膜电晶体阵列回路中具散乱反射效果之 储存电容制程,其步骤包括: a)于一基板上利用一导体层及一介质层形成一具 有一第一电极之岛状叠层结构,其中,该导体层构 成该第一电极,该导体层之材质系导电材料; b)沉积一保护层覆盖前述叠层结构,其中,该介质层 及该保护层构成一糙面层; c)于该糙面层上形成一第二电极。 11.依据申请专利范围第10项所述之储存电容制程, 其中该第二电极系利用一反射层所形成,且该反射 层之材质为高反射率导电材料。 12.依据申请专利范围第10项所述之储存电容制程, 其中该第二电极系利用一导电层及一反射层依序 所形成之岛状叠层结构,且该导电层之材质为导电 材料,该反射层之材质为高反射率材料。 13.依据申请专利范围第10项所述之储存电容制程, 其中该第二电极系利用一反射层及一导电层依序 所形成之岛状叠层结构,且导电层之材质为透光导 电材料,该反射层之材质为高反射率材料。 14.依据申请专利范围第10项所述之储存电容制程, 其中该介质层之材质系选自下列各物组成之群:铟 氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铅氧化物、铟锡 氧化物及铟锌氧化物。 15.依据申请专利范围第10项所述之储存电容制程, 其中该保护层之材质系选自下列各物组成之群:氮 化矽、氧化矽、氮氧化矽。 16.一种薄膜电晶体阵列回路中具散乱反射效果之 储存电容制程,其步骤包括: a)于一基板上利用一导体层形成一第一电极,其中, 该导体层之材质系导电材料; b)沉积一保护层覆盖该第一电极; c)于该保护层上形成一具有一第二电极之岛状叠 层结构。 17.依据申请专利范围第16项所述之储存电容制程, 其中该岛状叠层结构系利用一介质层及一反射层 依序所形成,其中,该保护层及该介质层构成一糙 面层,该反射层构成该第二电极,该反射层之材质 系高反射率导电材料。 18.依据申请专利范围第16项所述之储存电容制程, 其中该岛状叠层结构系利用一介质层、一导电层 及一反射层依序所形成,其中,该保护层及该介质 层构成一糙面层,该导电层及反射层构成该第二电 极,该反射层之材质系高反射率材料。 19.依据申请专利范围第16项所述之储存电容制程, 其中该介质层之材质系选自下列各物组成之群:铟 氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铅氧化物、铟锡 氧化物及铟锌氧化物。 20.依据申请专利范围第16项所述之储存电容制程, 其中该保护层之材质系选自下列各物组成之群:氮 化矽、氧化矽、氮氧化矽。 21.一种具散乱反射效果之储存电容,系用于薄膜电 晶体阵列回路中,包括: 一第一电极,形成于一基板上,具有一导电材料制 之导体层; 一介电层,系绝缘材料所构成,形成于该第一电极 上; 一第二电极,形成于该介电层上,具有一导电材料 制之导电层、一糙面层及一高反射率材料制之反 射层,其中,该糙面层形成于该导电层上,具有一介 质层及一保护层,且该保护层形成于该介质层上, 而该反射层形成于该糙面层上方。 22.依据申请专利范围第21项所述之储存电容,其中 该介质层构成系选自下列各物组成之群:铟氧化物 、锡氧化物、锌氧化物、铅氧化物、铟锡氧化物 及铟锌氧化物。 23.依据申请专利范围第21项所述之储存电容,其中 该保护层构成系选自下列各物组成之群:氮化矽、 氧化矽、氮氧化矽。 24.一种具散乱反射效果之储存电容,系用于薄膜电 晶体阵列回路中,包括: 一第一电极,形成于一基板上,具有一糙面层及一 导电材料制之导体层,其中,该糙面层具有一介质 层及一保护层,且该介质层形成于该保护层上,而 该导体层形成于该糙面层上; 一介电层,系绝缘材料所构成,形成于该第一电极 上; 一第二电极,形成于该介电层上,用以对外界光照 呈现散乱反射。 25.依据申请专利范围第24项所述之储存电容,其中 该介质层构成系选自下列各物组成之群:铟氧化物 、锡氧化物、锌氧化物、铅氧化物、铟锡氧化物 及铟锌氧化物。 26.依据申请专利范围第第24项所述之储存电容,其 中该保护层构成系选自下列各物组成之群:氮化矽 、氧化矽、氮氧化矽。 27.依据申请专利范围第24项所述之储存电容,其中 该第二电极具有一高反射率导电材料制之反射层 。 28.依据申请专利范围第24项所述之储存电容,其中 该第二电极具有一导电材料制之导电层及一高反 射率材料制之反射层,且该反射层形成于该导电层 上方。 图式简单说明: 第一图系薄膜电晶体回路阵列之结构图。 第二至九图系各为本发明第一至八较佳实施例之 施行步骤图。其中,各较佳实施例之图示皆系以垂 直第一图图面方向显示。 |
