| 主权项 |
1.一种半导体装置(100)之制造方法(1400),包括下列 步骤: 于半导体基板(102)上形成闸极电介质材料(104)、闸 极材料(106)、和盖材料(108)各层; 处理盖材料(108)和闸极材料(106)之部分,以形成盖( 200)和闸极主体部分(202/700); 从该闸极材料(106)之其余部分形成于该闸极主体 部分(202/700)上之翼(702); 去除于该闸极主体部分(202/700)上之该翼(702)下方 一部分之该闸极电介质材料(104),以形成闸极电介 质(800);以及 使用该闸极主体部分(202/700)和该翼(702)形成轻微 掺杂源极/汲极区(900)于该半导体基板(102)内。 2.如申请专利范围第1项之方法(1400),其中,形成该 翼(702)包括将该翼之外侧边缘弄圆之步骤。 3.如申请专利范围第1项之方法(1400),复包括: 围绕着该闸极主体部分(202/700),以及于该闸极材料 (106)和该闸极电介质材料(104)之其余部分上形成第 一间隙壁(400)之步骤。 4.如申请专利范围第3项之方法(1400),复包括: 使用该第一间隙壁(400)形成轻微掺杂源极/汲极区 域(900)之步骤。 5.如申请专利范围第1项之方法(1400),复包括: 围绕着该闸极主体部分(202/700),以及该闸极材料( 106)和该闸极电介质材料(104)之其余部分上形成第 一间隙壁(400)之步骤; 围绕着该第一间隙壁(400)形成第二间隙壁(600)之步 骤;以及 去除除了于该第一间隙壁(400)、该第二间隙壁(600) 、和该盖(200)下方部分以外其余部分之该闸极材 料(106)之步骤。 6.如申请专利范围第5项之方法(1400),复包括: 围绕着该闸极主体部和该闸极电介质(800)形成第 三间隙壁(710)之步骤。 7.如申请专利范围第5项之方法(1400),复包括: 去除该第一间隙壁(400)和该第二间隙壁(600)之步骤 。 8.如申请专利范围第5项之方法(1400),复包括: 去除该第一间隙壁(400)和该第二间隙壁(600)之步骤 ; 围绕着该闸极主体部(202/700)和该闸极电介质(800) 形成进一步之间隙壁(1000)之步骤;以及 使用进一步之间隙壁(1000)于半导体基板(102)上形 成源极/汲极区域(1002)之步骤。 9.如申请专利范围第1项之方法(1400),复包括于闸极 主体部分(202/700)上形成金属接点(1302)之步骤。 10.一种半导体装置(100),包括: 半导体基板(102); 于该半导体基板(102)上之闸极电介质(800),该闸极 电介质(800)具有第一宽度; 于该闸极电介质(800)上之翼闸极(700),该翼闸极(700) 具有主体部分(202/700)要窄于该第一宽度,和闸极翼 (702)要宽于该第一宽度;以及 于该半导体基板(102)上邻接于该闸极电介质(800)之 轻微掺杂源极/汲极区域(900)。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置(100),复包 括: 间隙壁(1000)要宽于该第一宽度,并位于该翼闸极( 700)之周围;以及 于该半导体基板(102)上邻接该间隙壁并连接至该 轻微掺杂源极/汲极区域(900)之源极/汲极区域(1002) 。 12.如申请专利范围第10项之半导体装置(100),其中: 该翼闸极(700)包括具有弄圆之尖端之闸极翼(702)。 13.如申请专利范围第10项之半导体装置(100),复包 括: 覆于该翼闸极(700)之上之金属接点(1302)。 图式简单说明: 第1图为依照本发明半导体装置于中间制程阶段之 图示; 第2图为第1图于盖和闸极材料层之进一步制程后 之结构; 第3图为第2图于沉积第一间隙壁材料层后之结构; 第4图为第3图于形成第一间隙壁后之结构; 第5图为第4图于沉积第二间隙壁层后之结构; 第6图为第5图于形成第二间隙壁后之结构; 第7图为第6图于形成翼闸极后之结构; 第8图为第7图于去除第二间隙壁并曝露出该闸极 翼之尖端后之结构; 第9图为第8图于施行掺杂质植入以形成轻微掺杂 源极/汲极区域后之结构; 第10图为第9图去除该第一间隙壁后之结构; 第11图为第10图自行对准矽化作用后之结构; 第12图为依照本发明于形成源极/汲极和闸极接点 之前完成之半导体装置; 第13图为本发明之另一替代金属闸极实施例;以及 第14图为依照本发明制造方法之流程图。 |
