| 主权项 |
1.一种避免在氧化区表面所生成之矽锗层有不连 续情形之方法,其包括以下步骤: 提供一基板,其基板表面上具有一氧化区; 在压力760torr以下和温度500℃-900℃之下,进行氢气 烘烤;以及 在该氧化区上形成一矽锗层。 2.如申请专利范围第1项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该基板 表面上更具有一掺杂磊晶层,且该矽锗层系形成于 氧化区和掺杂磊晶层上。 3.如申请专利范围第2项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该基板 表面上更具有一复晶矽层,且该矽锗层系形成于氧 化区、掺杂磊晶层、和复晶矽层上。 4.如申请专利范围第3项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中在进行 氢气烘烤之前,更包括以下步骤: 在该掺杂磊晶层上依序形成一垫氧化层和一复晶 矽层;以及 依序选择性蚀刻该复晶矽层和该垫氧化层,而形成 一开口,以曝露出该掺杂磊晶层。 5.如申请专利范围第4项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中蚀刻复 晶矽层系以乾蚀刻进行。 6.如申请专利范围第4项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中蚀刻垫 氧化层系以湿蚀刻进行。 7.如申请专利范围第1项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该氢气 烘烤系在压力10torr至380torr之下进行。 8.如申请专利范围第7项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该氢气 烘烤系在压力80torr至100torr之下进行。 9.如申请专利范围第1项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中在形成 该矽锗层之前,更包括形成一晶种层的步骤。 10.如申请专利范围第9项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该晶种 层为矽晶种层。 11.如申请专利范围第1项所述之避免在氧化区表面 所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中在形成 该矽锗层之后,更包括形成一覆盖层的步骤。 12.如申请专利范围第11项所述之避免在氧化区表 面所生成之矽锗层有不连续情形之方法,其中该覆 盖层为矽覆盖层。 13.一种异质接合双载子电晶体的制造方法,其包括 以下步骤: 提供一基板,该基板表面上具有一氧化区和一掺杂 磊晶层; 在压力760torr以下和温度500℃-900℃之下,进行氢气 烘烤; 在该氧化区和掺杂磊晶层上形成一矽锗层作为基 极;以及 在该矽锗层上形成一射极。 14.如申请专利范围第13项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该基板表面上更具有一复 晶矽层且该矽锗层系形成于该氧化区、掺杂磊晶 层、和复晶矽层上。 15.如申请专利范围第14项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中在进行氢气烘烤之前,更 包括以下步骤: 在该掺杂磊晶层上依序形成一垫氧化层和一复晶 矽层;以及 依序选择性蚀刻该复晶矽层和该垫氧化层,而形成 一开口,以曝露出该掺杂之磊晶层。 16.如申请专利范围第15项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中蚀刻复晶矽层系以乾蚀刻 进行。 17.如申请专利范围第15项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中蚀刻垫氧化层系以湿蚀刻 进行。 18.如申请专利范围第13项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该氢气烘烤系在压力10torr 至380torr之下进行。 19.如申请专利范围第18项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该氢气烘烤系在压力80torr 至100torr之下进行。 20.如申请专利范围第13项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中在形成该矽锗层之前,更 包括形成一晶种层的步骤。 21.如申请专利范围第20项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该晶种层为矽晶种层。 22.如申请专利范围第13项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中在形成该矽锗层之后,更 包括形成一覆盖层的步骤。 23.如申请专利范围第22项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该覆盖层为矽覆盖层。 24.一种异质接合双载子电晶体的制造方法,其包括 以下步骤: 提供一基板,该基板表面上具有一氧化区和一掺杂 磊晶层; 在该掺杂磊晶层上依序形成一垫氧化层和一复晶 矽层; 依序选择性蚀刻该复晶矽层和该垫氧化层,而形成 一开口,以曝露出该掺杂之磊晶层; 在压力760torr以下和温度500℃-900℃之下,进行氢气 烘烤; 在该氧化区、掺杂磊晶层、和复晶矽层上形成一 矽晶种层; 在该矽晶种层上形成一矽锗层作为基极; 在该矽锗层上形成一矽覆盖层;以及 在该矽覆盖层上形成一射极。 25.如申请专利范围第24项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中蚀刻复晶矽层系以乾蚀刻 进行。 26.如申请专利范围第24项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中蚀刻垫氧化层系以湿蚀刻 进行。 27.如申请专利范围第24项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该氢气烘烤系在压力10torr 至380torr之下进行。 28.如申请专利范围第27项所述之异质接合双载子 电晶体的制造方法,其中该氢气烘烤系在压力80torr 至100torr之下进行。 29.一种双载子互补式金氧半电晶体(BiCMOS)的制造 方法,其包括以下步骤: 提供一基板,该基板表面上具有一氧化区和一掺杂 磊晶层; 在该掺杂磊晶层上依序形成一垫氧化层和一复晶 矽层; 依序选择性蚀刻该复晶矽层和该垫氧化层,而形成 一开口,以曝露出该掺杂之磊晶层; 在压力760torr以下和温度500℃-900℃之下,进行氢气 烘烤; 在该氧化区、掺杂磊晶层、和复晶矽层上形成一 矽晶种层; 在该矽晶种层上形成一矽锗层作为基极; 在该矽锗层上形成一矽覆盖层; 在该矽覆盖层上形成一射极,而完成一双载子电晶 体(bipolar transistor);以及 形成一互补式金氧半电晶体(CMOS)。 30.如申请专利范围第29项所述之双载子互补式金 氧半电晶体(BiCMOS)的制造方法,其中蚀刻复晶矽层 系以乾蚀刻进行。 31.如申请专利范围第29项所述之双载子互补式金 氧半电晶体(BiCMOS)的制造方法,其中蚀刻垫氧化层 系以湿蚀刻进行。 32.如申请专利范围第29项所述之双载子互补式金 氧半电晶体(BiCMOS)的制造方法,其中该氢气烘烤系 在压力10torr至380torr之下进行。 33.如申请专利范围第32项所述之双载子互补式金 氧半电晶体(BiCMOS)的制造方法,其中该氢气烘烤系 在压力80torr至100torr之下进行。 图式简单说明: 第1a至1c图显示传统上异质接合双载子电晶体(HBT) 的制程剖面示意图。 第2a至2c图显示依据本发明较佳具体实施例之异质 接合双载子电晶体(HBT)的制程剖面示意图。 第3图显示依据本发明较佳具体实施例之异质接合 双载子电晶体(HBT)的制造流程图。 第4a至第4c图为In-line SEM照片,以分析在不同压力下 进行氢气烘烤,对于STI区上之SiGe层之不连续性的 影响。其中,第4a图为760torr,第4b图为100torr,第4c图 为10torr。 第5a和第5b图为off-line SEM照片,以分析在不同压力 下进行氢气烘烤,对于STI区上之SiGe层之不连续性 的影响。其中,第5a图为760torr,第5b图为10torr。 |
